陶瓷基板是无机材料，金属化后才具备导电性能，陶瓷基板常见的金属化工艺有哪些、
陶瓷基板金属化包括覆铜，镀铜，镀镍，沉金等，具体工艺，dpc工艺，dbc工艺等
陶瓷基板常见的金属化工艺是通过导电银浆，采用化学电镀、喷涂、溅射、丝网印刷等工艺在陶瓷基板上覆银层。所以导电银浆作为金属化工艺的关键材料之一，其导电性能和导电层的致密性对陶瓷基板的性能产生重要的影响。有需要导电银浆的朋友可以咨询我们，我们有专门的“FY系列导电银浆”，做出来的涂层具有高导电性，涂层电阻不超过3.0mΩ/□(25um)，能够减少陶瓷基板在信号传输频率过程中的介电损耗。
陶瓷金属化在工艺上有化学镀、真空镀膜法、物理蒸镀法、化学气相沉淀法及喷镀法。
陶瓷表面金属化是陶瓷基板在电子封装领域获得实际应用的重要环节，金属在高温下对陶瓷表面的润湿能力决定了金属与陶瓷之间的结合力，良好的结合力是封装性能稳定性的重要保证。因此，如何在陶瓷表面实施金属化并改善二者之间的结合力是陶瓷金属化的工艺重点。陶瓷基片→陶瓷基板
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，下文我们一起来看看如何才能让一个“陶瓷基片”变成“陶瓷基板”。 一、厚膜法厚膜印刷陶瓷基板（ThickPrintingCeramicSubstrate，TPC）是指采用丝网印刷的方式，将导电浆料直接涂布在陶瓷基体上，然后经高温烧结使金属层牢固附着于陶瓷基体上的制作工艺。根据金属浆料粘度和丝网网孔尺寸不同，制备的金属线路层厚度一般为几微米到数十微米的膜层（提高金属层厚度可通过多次丝网印刷实现）。厚膜金属化基板
优缺点：由于丝网印刷工艺限制，TPC基板无法获得高精度线路，因此TPC基板仅在对线路精度要求不高的电子器件封装中得到应用。不过厚膜电路虽然精度粗糙（最小线宽/线距一般大于100μm），但其优势在于性能可靠，对加工设备和环境要求低，具有生产效率高，设计灵活，投资小，成本低，多应用于电压高、电流大、大功率的场合。基材：厚膜集成电路最常用的基片是含量为96％和85％的氧化铝陶瓷；当要求导热性特别好时，可采用氧化铍陶瓷。氮化铝陶瓷虽然导热性能也很好，但大多数金属对氮化铝陶瓷的润湿性并不理想，因此使用氮化铝作为基片材料时需要特殊工艺支持，常见的手段有：①是利用玻璃料作为粘结相使金属层与AlN层达到机械结合；②是添加与AlN能够反应的物质作为粘结相，通过与AlN反应达到化学结合。导电浆料：厚膜导体浆料的选择是决定厚膜工艺的关键因素，它由功能相（即金属粉末，粒径在2μm以内）、粘结相（粘结剂）和有机载体所组成。常见的金属粉末有Au、Pt、Au/Pt、Au/Pd、Ag、Ag/Pt、Ag/Pd、Cu、Ni、Al及W等金属，其中以Ag、Ag/Pd和Cu浆料居多。粘结剂一般是玻璃料或金属氧化物或是二者的混合物，其作用是连结陶瓷与金属并决定着厚膜浆料对基体陶瓷的附着力，是厚膜浆料制作的关键。有机载体的作用主要是分散功能相和粘结相，同时使厚膜浆料保持一定的粘度，为后续的丝网印刷做准备，在烧结过程中会逐渐挥发。二、薄膜技术薄膜技术（ThinFilmCeramicSubstrate，TFC）是指采用蒸镀、光刻与刻蚀等方法制备所需材料膜层的技术，薄膜的含义不只是膜的实际厚度，更多的是指在基板上的膜产生方式。厚膜技术是“加法技术”，而薄膜技术是“减法技术”。使用光刻与刻蚀等工艺使薄膜技术得到的图形特征尺寸更小，线条更清晰，更适合高密度和高频率环境。
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