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硅片上 电镀铅锡合金工艺
杨 红玉 ，朱 国飞
(I．杭州武林机器厂 ，浙江 杭州 3III()()；2．浙江缙云 四方电子有 限公司，浙江 缙云 32I400)
摘要 ：介绍 了硅片上 电镀铅锡 合金工艺，并对镀液 巾各成分 的作用及影响镀层质量 的因素进行 了探讨 。
关键 词 ：铅 锡 合 金 ；硅 片 ； 电镀
中图分类号 ：TN305．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003-353X(2002)08-0068-03
A new processofelectroplatingPb—Sn alloyon silicon chip
YANG Hong-yu ， ZHU Guo-fei
(1．WuLinMechanicalWorks，Hangzhou 3111O0 ：2．SiFangElectronLtd，Jinyun，Zhejiang 321400，China)
Abstract：A new technologyofelectroplatingPb—SnalloyonthesiliconchipWaSdeveloped
Theeffectsonvariouscomponentsoftheliquidwerediscussed．
K ey w ords： Pb-Snalloy： silicon chip： electrOplating
2．1 工艺条件
1 引言
先将硅片放入 5％的KOH溶液 中煮沸 3min，
众所周知 ，硅为半导体材料 ，不通过特殊 处
再用去离子水冲洗至pH 在 8～9之 间进行预处理，
理 ，导 电性 差 ，且 其 脆性 大 ，它 无法 用 线 切 割 、
然 后 按 以下工 艺 条件 进行 。
冲压等普通方法把大硅 片切割成 小硅 片 。而大 电
(1)化 学镀 镍
流 的二极管 、可控 硅 的芯片 一般 是使 用套 圆法 把
氯化镍 (NiC1 ·6H O) 30g／L
它切 割 出来 的 。因小 管芯 直 径 小 ，套 圆效 率低 ，
氯化铵 (NHC1) 50g／L
所 以，传统 的小 电流二极管 的芯片都是用 点腐蚀
次亚磷 酸钠 (Nali，PO，·H，0) 10g／L
方法把大硅 片腐蚀成 小管芯 。 由于手工 点 的不均
柠檬酸三铵 ((NH )cH O ) 65g／L
匀 ，且 点与 点之 间必须 留有一定 的间隙，使腐蚀
pH 8～ 9
出的管 芯大 小不 一 、 台面形状 各 异 ， 因而造成 硅
温度 90～98℃
片利 用 率不 高 ，管 芯 质 量 不稳 定 等 问题 。
